ТУСУР и «Микран» создадут в Томске инжиниринговый центр электроники нового поколения
Томский университет систем управления и радиоэлектроники и фирма «Микран» создают инжиниринговый центр для исследования и проектирования элементов, устройств и систем на основе гетероинтегрированной электроники, сообщает
«Сегодня при производстве электроники для высокочастотной части используются одни материалы и микросхемы, для силовой части — другие, а в приборах они объединяются в одну систему. Здесь мы получаем чип с функционалом, который раньше был разделен на несколько микросхем», — объясняет менеджер совместного проекта ТУСУРа и «Микрана», директор
Создаваемый в Томске инжиниринговый центр будет оказывать услуги в области моделирования, проектирования, прототипирования и характеризации изделий гетероинтегрированной электроники, а также технологий их производства. В 2015 году для центра получено
«Это оборудование позволяет, например, быстрее производить
Центр создается на базе ТУСУРа, часть оборудования уже установлена и проходит наладку. Одновременно идет модернизация процессов с учетом возможностей оборудования — технологи должны определить алгоритмы его использования и составить инструкции для сотрудников.
«Центр будет разрабатывать микросхемы для авиационной и космической отрасли, речной навигации, радиолокации, телекоммуникаций. Это будет отечественный продукт, конкурентоспособный на мировом уровне. Работа центра позволит обеспечить конкурентоспособность российских изделий гетероинтегрированной электроники, увеличить выпуск высокотехнологичной продукции, создать в Томске новые высокопроизводительные рабочие места», — подчеркнул Дмитрий Зыков.
Гетероинтегрированная электроника — развивающееся направление, основанное на интеграции полоупроводниковых материалов с различными свойствами в одном чипе. Благодаря этому на одной интегральной схеме исполняется широкий набор функций (усиление, синтез, преобразование и обработка аналоговых сигналов, включая СВЧ, обработка цифровых и оптических сигналов), причем каждая из них — элементами на основе подходящего полупроводника. Интеграция функций способствует улучшению технических характеристик изделий, уменьшению массы и габаритов, стоимости изготовления и пользования, повышению надежности.